Samsung do të përdorë teknologjinë e SK Hynix teksa gara e prodhimit të çipave po nxehet

Samsung Electronics planifikon të përdorë një teknologji të prodhimit të çipave të mbështetur nga rivali SK Hynix.

Kështu rezulton të jetë sipas disa burimeve të pyetur nga agjencia e lajmeve Reuters.

Dhe lëvizja vjen teksa prodhuesi më i mirë në botë i çipave të memories kërkon të arrijë në garën për të prodhuar çipa të nivelit të lartë të përdorur për energji inteligjence artificiale.

Me rritjen e inteligjencës artificiale gjeneruese, në botë, tanimë është rritur kërkesa për çipa memorie me gjatësi të lartë HBM.

Ky lloj çipi pritet të përshtatet dhe të përdoret në aplikacionet kompjuterike me performancë të lartë ku kërkohet shpejtësia e të dhënave.

Por Samsung, ndryshe nga kolegët SK Hynix dhe Micron Technology, ka qenë i dukshëm për mungesën e tij në çdo marrëveshje me liderin e çipave AI Nvidia për të furnizuar çipat më të fundit HBM.

Mirëpo, një nga arsyet se pse kompania Samsung ka mbetur prapa është vendimi për t’iu përmbajtur teknologjisë së prodhimit të çipave të quajtur jo-përçues (NCF) që shkakton disa probleme të prodhimit.

Kurse Hynix kaloi në metodën e nën-mbushjes së derdhur me rikthim masiv (MR-MUF) për të adresuar dobësinë e NCF, sipas analistëve dhe vëzhguesve të industrisë.

Por Samsung, kohët e fundit ka lëshuar urdhra blerjeje për pajisjet e prodhimit të çipave të dizajnuara për të trajtuar teknikën MUF, kanë zbuluar tre burime me njohuri të drejtpërdrejta për këtë çështje.

“Samsung duhej të bënte diçka për të rritur rendimentet e veta të HBM…adoptimi i teknikës MUF është paksa diçka e llojit të gëlltitjes së krenarisë për Samsung, sepse përfundoi duke ndjekur teknikën e përdorur për herë të parë nga SK Hynix”, ka bërë me dije një nga burimet.

Samsung sakaq ka thënë se teknologjia e vet NCF është një “zgjidhje optimale” për produktet HBM dhe do të përdoret në çipat e saj të rinj HBM3E.

“Ne po kryejmë biznesin tonë të produkteve HBM3E siç është planifikuar”, ka deklaruar Samsung në përgjigje të pyetjeve të Reuters mbi artikullin.

Ndërkohë, pas publikimit të artikullit, Samsung ka lëshuar një deklaratë duke thënë se “thashethemet se Samsung do të aplikojë MR-MUF në prodhimin e saj HBM nuk janë të vërteta”.

HBM3 dhe HBM3E janë versionet më të reja të çipave të memories me gjerësi të lartë brezi që janë të bashkuara me çipa mikroprocesorësh thelbësorë për të ndihmuar në përpunimin e sasive të mëdha të të dhënave në inteligjencën artificiale gjeneruese.

Rendimentet e prodhimit të çipave HBM3 të Samsung qëndrojnë në rreth 10-20%, duke mbetur prapa SK Hynix që ka siguruar rreth 60-70% norma të prodhimit për prodhimin HBM3, sipas disa analistëve.

Samsung ndërkohë ka hedhur poshtë rendimentet e vlerësuara të prodhimit, duke thënë se kishte siguruar një “normë të qëndrueshme rendimenti” pa elaboruar.

Sipas një prej burimeve, Samsung është tashmë në bisedime me prodhuesit e materialeve, duke përfshirë Nagase të Japonisë, për burimin e materialeve MUF.

Por prodhimi masiv i çipave të nivelit të lartë duke përdorur MUF nuk ka gjasa të jetë gati deri në vitin e ardhshëm, pasi Samsung duhet të kryejë më shumë teste.

Burimet e Reuters kanë thënë gjithashtu se Samsung planifikon të përdorë teknikat NCF dhe MUF për çipin e tij të fundit HBM.

Çdo lëvizje nga Samsung për të përdorur MUF do të theksonte presionin në rritje me të cilin përballet në garën e çipave të inteligjencës artificiale, me tregun e çipave HBM, sipas firmës kërkimore TrendForce, që pritet të dyfishohet këtë vit në gati 9 miliardë dollarë mes kërkesës së lidhur me inteligjencën artificiale.

Marrë nga “Reuters”, përshtatur për “Albanian Post”.

Shkarkimi dhe publikimi i teksteve nga Albanian Post nuk lejohet pa përmendur burimin. Faleminderit për respektimin e etikës së profesionit të gazetarit.